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      半導體芯片生產工藝流程

      發布時間: 2024-04-08  點擊次數: 396次

       

      半導體芯片是現代電子產品的核心組成部分,其生產工藝涉及多個環節,包括光刻、腐蝕、離子注入等。博泰小編帶大家了解半導體芯片生產的整個流程。

       

      一、清洗

      芯片在加工前需進行清洗,清洗設備通常為柵氧化清洗機和氧化擴散清洗機。

       

      二、氧化

      氧化過程就是把清洗干凈,通過離心甩干的硅片板送入高溫爐管內進行退火處理,爐管內溫度800-1500℃。

       

      三、淀積

      淀積系統就是在硅片表面形成具有良好的臺階覆蓋能力、良好的接觸及均勻的高質量金屬薄膜的設備系統。


      四、光刻

      在硅晶片涂上光致蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解,在光刻機的曝光作用下,紫外光直射的部分被溶解,用溶劑將其沖走。

       

      五、刻蝕

      以化學蝕刻的方法或用干法氧化法,去除氨化硅和去掉經上幾道工序加工后,在硅片表面因加工應力而產生的一層損傷層的過程。

       

      六、二次清洗

      將加工完成的硅片需要再次經過強酸堿清洗、甩干,去除硅片板上的光刻膠。

       

      七、離子注入

      將刻蝕后的芯片放入大束、中束流注入機將硼離子(B+3)透過Si02膜注入襯底,形成P型阱。去除氨化硅層,摻雜磷(P+5)離子,形成N型阱。

       

      八、快速退火

      從離子注入機中取出硅片放入快速退火爐中進行退火處理,去除Si02層,與離子注入工藝根據需要反復循環進行。

       

      九、蒸鍍

      薄膜的沉積方法根據其用途的不同而不一樣,厚度通常小于1um,分真空蒸發法和濺鍍法。

       

      十、檢測

      檢測就是進行全面的檢驗以保證產品最終達到規定的尺寸、形狀、表面光潔度、平整度等技術指標。

       

       

       

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